Objetivos
- Comprobar el efecto Hall en semiconductores tipo n-Ge y p-Ge.
- Medir el voltaje de Hall como función de temperatura y campo magnético.
- Determinar el signo de los portadores de carga y su densidad en semiconductores tipo n-Ge y p-Ge.
El efecto Hall se presenta cuando un campo eléctrico es generado entre dos caras de un conductor por el cual pasa corriente con densidad J y sobre este se aplica un campo magnético B ; esto genera un campo eléctrico perpendicular a J y a B.
Este campo eléctrico sobre el conductor da lugar a una diferencia de potencial conocido como el voltaje de Hall VH en honor a Edwin H.Hall, quien lo observó por primera vez. Cuando se estudia el efecto Hall, hay dos regímenes importantes dependiendo de la magnitud del campo magnético. Está el régimen de campo magnético débil (en el cual se trabajará en este experimento) ; bajo este régimen se pueden estudiar propiedades de transporte de carga en metales y semiconductores y determinar la movilidad, signo de los portadores y su densidad.
